Duet

Le NOUVEL étage de sortie GaN-Power, basé sur un ensemble de MOSFET GaN haute tension, peut fonctionner à des vitesses de balayage élevées, offrant un son sublime grâce à ses performances de commutation idéales sans oscillations.
La carte mère AGD DUET a un circuit imprimé 4 couches conçu avec la plus grande attention pour minimiser le bruit avec un contrôle optimal du routage des connexions. Avec des pistes de cuivre extra larges, la nouvelle carte présente un chemin résistif ultra-faible et sans inductance parasite.
La carte mère de l’AGD DUET a été étudiée pour accueillir un grand nombre de condensateurs jusqu’à 30 000 µF, pour pouvoir prendre en charge une demande de courant importante avec des charges difficiles.
La nouvelle conception de l’alimentation a permis de doubler la capacité des condensateurs et améliorer la section du filtre RF. La taille globale de la batterie de condensateurs permet un courant de crête maximal allant jusqu’à 50 A pour alimenter l’étage de puissance GaN-Power de sortie.
Les pieds sont de forme conique. Un jeu de disques métalliques à poser sous les pieds est inclus.
L’AGD DUET est disponible en noir anodisé et en argent poli miroir 
La configuration du panneau arrière de l’AGD DUET offre un accès facile aux connecteurs d’entrées RCA – asymétriques et XLR – symétriques. Les entrées sont sélectionnables via un interrupteur à bascule.

Spécifications